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mos管—工作原理
mos管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
mos管—失效的6大原因
mos管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品效量*。而mos管的應(yīng)用領(lǐng)域*二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)mos管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。
第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對(duì)于mos管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于mos管的需求直追消費(fèi)類電子了。
下面對(duì)mos失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)進(jìn)行分析:
1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)mosFET的額定電壓,并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致mosFET失效。
2:SOA失效(電流失效),既超出mosFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過(guò)大,損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。
3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。
4:諧振失效:在并聯(lián)使用的過(guò)程中,柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
5:靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。
6:柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。
中科檢測(cè)是具備CMA、CNAS資質(zhì)認(rèn)證的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu),累計(jì)數(shù)十年檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)和資源團(tuán)隊(duì),能對(duì)各類產(chǎn)品失效原因進(jìn)行檢測(cè)分析,并根據(jù)失效分析和根因?yàn)楫a(chǎn)品物料優(yōu)選、設(shè)計(jì)改進(jìn)和失效預(yù)防提供技術(shù)解決方案。